[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610131423.6 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057793B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 尹彰燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括在其上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极，与第一有源图案和第二有源图案交叉；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，分别在处于第一栅电极的一侧的第一有源图案和第二有源图案上；以及有源接触件，在第一源极/漏极区上以电连接到第一源极/漏极区。有源接触件包括第一子接触件和第二子接触件。第二子接触件包括朝着基板垂直延伸的垂直延伸件。垂直延伸件的底表面低于第一子接触件的底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基板，包括形成在其上的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与基板的顶表面平行的第一方向上延伸；第一栅电极，与第一有源图案和第二有源图案交叉，第一栅电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，分别提供在第一有源图案和第二有源图案的在第一栅电极的一侧处的上部中，其中，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区在第二方向上彼此分隔开；以及有源接触件，在第一源极/漏极区上并电连接到第一源极/漏极区，其中，有源接触件包括：第一子接触件，在平面图中与第一源极/漏极区叠置；以及第二子接触件，在平面图中提供在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，其中，第二子接触件包括朝着基板垂直延伸的垂直延伸件，其中，垂直延伸件的底表面朝着基板延伸超过第一子接触件的底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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