[发明专利]一种萘普生插层复合体的制备方法在审
| 申请号： | 201610131449.0 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105770897A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 谷庆阳;刘霞;张丽芳;李艳云;胡应喜 | 申请（专利权）人： | 北京石油化工学院 |
| 主分类号： | A61K47/02 | 分类号： | A61K47/02;A61K31/192;A61K49/00;A61P29/00;A61P19/02;A61P19/08 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 102600 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种萘普生插层复合体的制备方法，首先采用均匀沉淀法合成硝酸根型层状铕氢氧化物NO3‑LEuH作为前驱体；再通过离子交换反应将萘普生阴离子引入所述前驱体的LEuH层间，形成萘普生插层复合体NPX‑LEuH。利用上述制备方法得到复合体后层板Eu3+的荧光显著增强，同时将萘普生置于层间可以对其进行有效保护，控制其在体内的缓慢释放，提高萘普生的应用范围和效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 萘普生插层 复合体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种萘普生插层复合体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：首先采用均匀沉淀法合成硝酸根型层状铕氢氧化物NO3‑LEuH作为前驱体；再通过离子交换反应将萘普生阴离子引入所述前驱体的LEuH层间，形成萘普生插层复合体NPX‑LEuH。
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