[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及用于制造半导体器件的方法。对具有分离栅极型MONOS存储器的半导体器件的可靠性做出了改进。形成覆盖控制栅极电极的ONO膜和虚设存储器电极栅极，并且然后跨虚设存储器电极栅极形成在所制造的存储器的源极区域侧的扩散区域。随后，去除虚设存储器栅极电极，并且然后形成存储器栅极电极，该存储器栅极电极的栅极长度小于虚设存储器电极栅极。之后，形成在存储器的源极区域侧的延伸区域。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)准备半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的主表面之上，依次形成栅极绝缘膜和控制栅极电极；(c)在所述半导体衬底之上，形成在其中包括电荷保持部的第一绝缘膜，以覆盖所述控制栅极电极；(d)在所述控制栅极电极两侧的、所述控制栅极电极的相应侧壁之上，以侧壁的形式形成第一牺牲膜，以将第一绝缘膜中介在所述侧壁中的每一个与所述控制栅极电极之间；(e)将与所述控制栅极电极的所述侧壁中的一个侧壁相邻的这部分所述第一牺牲膜用作掩膜，以将预定导电类型的杂质离子注入到所述半导体衬底的所述主表面中，从而形成第一半导体区域；(f)在所述步骤(e)之后，去除所述第一牺牲膜；(g)在与所述控制栅极电极的所述侧壁中的一个侧壁相邻的位置处，形成存储器栅极电极，所述侧壁为所述第一半导体区域侧的侧壁；(h)去除从所述存储器栅极电极暴露出来的这部分所述第一绝缘膜；(i)在所述半导体衬底的主表面区域之中的、与所述控制栅极电极相邻的区域之上，形成所述导电类型的第二半导体区域，所述区域为与这些主表面区域之中的存储器栅极电极定位区域相对的主表面区域，并且在所述半导体衬底的主表面区域之上形成所述导电类型的第三半导体区域，所述区域在所述存储器栅极电极与所述第一半导体区域之间；以及(j)在所述半导体衬底的主表面区域之上，形成所述导电类型的第四半导体区域，所述主表面区域在所述控制栅极电极之侧、并且与所述主表面的所述存储器栅极电极定位区域相对；其中所述第二半导体区域和所述第三半导体区域在杂质浓度上小于所述第一半导体区域和所述第四半导体区域；并且其中所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、所述第三半导体区域和所述第四半导体区域、所述控制栅极电极和所述存储器栅极电极配置为非易失性存储器的存储器单元。