[发明专利]一种含溴空穴传输材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610131762.4 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105669544B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陶斯禄;杜晓扬;杨晓霞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C07D215/12 | 分类号： | C07D215/12;H01L51/54 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于有机电致发光显示技术领域，具体涉及一种含溴的高效空穴传输材料，具体为提供一种含溴的空穴传输材料及其制备方法，该空穴传输材料的结构式为Br‑DQTPA，结构式为该材料空穴传输性能明显提高，能够用作高效率有机电致发光器件中的空穴传输层，能制作出高效率的有机电致发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含溴空穴传输材料，其特征在于，该空穴传输材料为含溴的有机化合物，其结构式为：
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