[发明专利]射频偏置溅射装置及溅射方法在审
| 申请号： | 201610132641.1 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105568241A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 石永敬 | 申请（专利权）人： | 重庆科技学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频偏置溅射装置及溅射方法。所述射频偏置溅射装置包括真空室、偏置对应电极、至少两个辅助磁极、至少一个非平衡磁控电极以及两个射频电源，每一非平衡磁控电极设有非平衡磁场，所述偏置对应电极和至少两个辅助磁极固定在真空室内的一端，至少两个辅助磁极对称分布在偏置对应电极的两侧，所述至少一非平衡磁控电极固定在真空室内的另一端，所述偏置对应电极和非平衡磁控电极分别与射频电源电连接，所述偏置对应电极与真空室绝缘，所述至少两个辅助磁极与非平衡磁控电极形成闭合场。利用射频偏置溅射装置能制备出高致密度电解质膜，且过程稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 偏置 溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种射频偏置溅射装置，其特征在于：射频偏置溅射装置包括真空室、偏置对应电极、至少两个辅助磁极、至少一个非平衡磁控电极以及两个射频电源，每一非平衡磁控电极设有非平衡磁场，所述偏置对应电极和至少两个辅助磁极固定在真空室内的一端，至少两个辅助磁极对称分布在偏置对应电极的两侧，所述至少一非平衡磁控电极固定在真空室内的另一端，所述偏置对应电极和非平衡磁控电极分别与射频电源电连接，所述偏置对应电极与真空室绝缘，所述至少两个辅助磁极与非平衡磁控电极形成闭合场。
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