[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201610132959.X | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106128498B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 林禹日;朴正勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C8/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：多个存储区域；目标区域设置单元，适于根据对相应的存储区域的访问的数量来指定目标区域；随机地址生成单元，适于以随机方式在相应的存储区域内生成随机地址；目标地址生成单元，适于基于目标区域和随机地址来生成目标地址；以及驱动单元，适于根据目标地址来执行智能刷新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：多个存储区域；目标区域设置单元，适于根据对相应的存储区域的访问的数量来指定目标区域；随机地址生成单元，适于以随机方式在相应的存储区域内生成随机地址；目标地址生成单元，适于基于目标区域和随机地址来生成目标地址；以及驱动单元，适于根据目标地址来执行智能刷新操作。
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