[发明专利]薄膜电介质叠层有效
| 申请号： | 201610133072.2 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105957714B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 玛丽娜·泽尔纳;苏珊·纳吉;安德鲁·弗拉基米尔·克劳德·塞尔温 | 申请（专利权）人： | 黑莓有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/08;H01G4/005 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种包含本公开的教导的系统可包括例如通过如下操作形成的制造的薄膜电容器：利用在第一温度执行的第一工艺将第一电介质层沉积在第一电极层上；利用第二工艺将第二电介质层沉积在第一电介质层上，其中，第二工艺针对第二电介质层形成随机取向的晶粒结构；利用在第二温度执行的第三工艺将第三电介质层沉积在第二电介质层上，其中，第三工艺针对第三电介质层形成列式取向的晶粒结构，其中，第二温度高于第一温度；以及将第二电极层沉积在第三电介质层上以形成薄膜电容器。还公开了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造薄膜电容器的方法，所述方法包括：根据第一电极层的材料并根据对突起温度的确定，来确定第一温度，其中，在所述突起温度以上在所述材料上形成突起，其中，所述第一温度在突起温度以下；根据第一电极层的材料并根据对突起温度的确定，来确定第二温度，其中，所述第二温度在突起温度以下；利用在所述第一温度执行的第一工艺将第一电介质层沉积在第一电极层上；利用第二工艺将第二电介质层沉积在第一电介质层上，其中，第二工艺在第二温度执行并且针对第二电介质层形成随机取向的晶粒结构；利用在第三温度执行的第三工艺将第三电介质层沉积在第二电介质层上，其中，第三工艺针对第三电介质层形成列式取向的晶粒结构，其中，第三温度高于所述第一温度；以及将第二电极层沉积在第三电介质层上以形成薄膜电容器，其中所述第一工艺和所述第三工艺导致所述第一电介质层的平均晶粒大小小于所述第三电介质层的平均晶粒大小。
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