[发明专利]集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610133211.1 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105606661B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 明安杰;郑轩;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器及其制作方法，所述集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，从底部向顶部依次包括：承载硅基底，传感器释放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅复合膜支撑结构，图形化多晶硅薄膜层，纳米尺度硅结构，梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad层结构，金属氧化物敏感膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 纳米 结构 薄膜 mos 气体 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，其特征在于，从底部向顶部依次包括：承载硅基底，传感器释放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅复合膜支撑结构，图形化多晶硅薄膜层，纳米尺度硅结构，梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad层结构，金属氧化物敏感膜层；其中，所述梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad层结构为在多晶硅表面制备；所述纳米尺度硅结构为刻蚀多晶硅表面所形成的纳米尺度硅结构粗糙起伏；所述金属氧化物敏感膜层为在纳米尺度硅结构、梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad区域沉积形成的；所述传感器释放后空腔是对承载硅基底进行同性干法刻蚀，形成纵向深度在1～100微米左右、横向刻蚀穿透的热隔离的悬浮器件结构，并在悬浮膜层下方形成，并且传感器敏感薄膜悬空区域与硅基底之间通过支撑臂相连接。
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