[发明专利]一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610133290.6 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105734528A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 林本慧 | 申请（专利权）人： | 无锡盈芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214177 江苏省无锡市惠山经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法，包括如下步骤：1)将衬底置于PEMOCVD反应室中，通入氩气去除反应室中的空气，调节反应室真空度为10‑3Pa以下，温度为700℃～800℃，升温速率为40～60℃/min；2)以氩气为载体，将氧化钼粉末和硫粉末分别加热蒸发为反应源气体，脉冲式通入到PEMOCVD反应室中在衬底上成核成长，通过控制反应源气体的输入流量以及脉冲输入方式，获得特定层数的二硫化钼薄膜。本发明通过反应源气体的输入流量以及脉冲输入方式，可获得高质量和层数可控的大尺寸二硫化钼薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 脉冲 气流 生长 层状 二硫化钼 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种基于脉冲气流法生长层状二硫化钼薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将衬底置于PEMOCVD反应室中，通入氩气去除反应室中的空气，调节反应室真空度为10‑3Pa以下，温度为700℃～800℃，升温速率为40～60℃/min；2)以氩气为载体，将氧化钼粉末和硫粉末分别加热蒸发为反应源气体，脉冲式通入到PEMOCVD反应室中在衬底上成核成长，通过控制反应源气体的输入流量以及脉冲输入方式，获得特定层数的二硫化钼薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
