[发明专利]具有用于改变衬底温度的衬底托盘的预清洗腔室和借助所述衬底托盘进行的预清洗工艺有效
| 申请号： | 201610133338.3 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105977134B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | J·托尔;E·R·希尔 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于从衬底的表面去除氧化物材料的系统可包括用以收纳所述衬底的衬底托盘，和用以收纳所述衬底托盘的冷却体。所述系统可包括：第一温度控制元件，其被配置用来控制所述衬底托盘的温度，和第二温度控制元件，其被配置用来控制所述冷却体的温度，其中所述第一温度控制元件和所述第二温度控制元件可被独立地控制。一种用于从衬底的表面去除氧化物材料的方法可包括：在具有加热元件的衬底托盘上提供所述衬底；通过将热从所述衬底托盘传递至冷却体来冷却所述衬底；在所述衬底在所述冷却体上时将含有卤素的材料沉积在所述冷却的衬底上；以及随后通过借助将热从所述衬底托盘传递至所述衬底而加热所述冷却的衬底来使所述含有卤素的材料升华。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 改变 衬底 温度 托盘 清洗 借助 进行 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路制造的系统，所述系统包括：反应腔室，其用于处理衬底；衬底托盘，其用以收纳所述反应腔室内的所述衬底；冷却体，其用以收纳所述衬底托盘；以及第一温度控制元件，其被配置用来控制所述衬底托盘的温度，和第二温度控制元件，其被配置用来控制所述冷却体的温度，其中所述第一和第二温度控制元件被配置用来独立地控制所述衬底托盘和所述冷却体的所述温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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