[发明专利]互补式金氧半导体深度感测器元件及其感测方法

摘要

一种互补式金氧半导体深度感测器元件及其感测方法，该深度感测器元件于一基板的一感光区域中形成有一感光栅极，该感光栅极的两相对侧分别间隔形成有一第一及第二传送栅极，又该基板上对应该第一及第二传送栅极的外侧分别间隔形成有一第一及第二浮接掺杂区；其中该第一及第二浮接掺杂区的杂质极性与该半导体区的杂质极性相异；由于该感光栅极与该第一及第二传送栅极下方共用相同半导体区，其间未有与该半导体区杂质极性相异的杂质掺杂于其中，故本发明的深度感测器元件的感光栅极于受光后激发出的多数载子不以扩散方式，而改以漂移方式传送至该第一或第二传送栅极。本发明还公开了一种深度感测器元件的感测方法。

主权项

1.一种深度感测器元件，其特征在于，包括：一基板，包含有一感光区域，该基板形成有一半导体区；一感光栅极，形成于该半导体区上，并对应该感光区域且具有一第一侧及一第二侧，其中提供一电压予该感光栅极；一第一传送栅极，形成于该半导体区上并具有一第一侧及一第二侧，且该第一传送栅极的第二侧相邻于该感光栅栅极的第一侧，并与其保持一第一间隙；一第二传送栅极，形成于该半导体区上并具有一第一侧及一第二侧，且该第二传送栅极的第一侧相邻于该感光栅栅极的第二侧，并与其保持一第二间隙；一第一浮接掺杂区，形成于该基板的半导体区中，该第一浮接掺杂区的一侧对应连接导通该第一传送栅极的第一侧，以作为一第一传送节点；以及一第二浮接掺杂区，形成于该基板的半导体区中，该第二浮接掺杂区的一侧对应连接导通该第二传送栅极的第二侧，以作为第二传送节点；其中该感光栅栅极、第一传送栅极及第二传送栅极共同对应到相同的该半导体区，该第一及第二浮接掺杂区的杂质极性与该半导体区的杂质极性相异。