[发明专利]一种电池保护系统有效

专利信息
申请号: 201610133426.3 申请日: 2016-03-09
公开(公告)号: CN105576777B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 刘陵刚 申请(专利权)人: 山东汉旗科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 温旭
地址: 277300 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明的电池保护系统,它由保护控制逻辑模块,N沟道MOS管MN,肖特基二极管DS1和肖特基二极管DS2构成;保护控制逻辑模块的输出端连接MN的栅极,DS1的正极和DS2的正极分别连接在MN的源极和漏极,DS1的负极和DS2的负极均连接在衬底上;该电池保护系统引出电源VCC脚,MN的源极和漏极;电源VCC脚连接电池的正极,MN的源极连接电池的负极,负载连接在电池的正极和MN的漏极之间。该电池保护系统实现了低成本、全集成的电池保护系统;其只需要一个功率MOS,大幅度减小的锂电保护系统成本,只用一个功率MOS,可以减低阻抗,减小发热;把整个保护系统集成到一颗IC内部,减小了PCB面积;并利用背靠背肖特基二极管自动切换NMOS MN的衬底电压,不存在任何漏电路径。 1
搜索关键词: 电池保护系统 正极 肖特基二极管 负极 减小 漏极 控制逻辑模块 电源VCC 功率MOS 电池 源极 背靠背 输出端连接 衬底电压 负载连接 漏电路径 系统成本 系统集成 源极连接 自动切换 低成本 脚连接 全集成 衬底 阻抗 锂电 发热
【主权项】:
1.一种电池保护系统,其特征在于:它由保护控制逻辑模块,N沟道MOS管MN,肖特基二极管DS1和肖特基二极管DS2构成;该N沟道MOS管MN的源极和衬底以及漏极和衬底之间分别具有寄生二极管DP1和DP2;保护控制逻辑模块的输出端连接MN的栅极,DS1的正极和DS2的正极分别连接在MN的源极和漏极,DS1的负极和DS2的负极均连接在衬底上,DP1的正极和DP2的正极分别连接在MN的源极和漏极,DP1的负极和DP2的负极均连接在衬底上;该电池保护系统引出电源VCC脚,MN的源极和漏极;电源VCC脚连接电池的正极,MN的源极连接电池的负极,负载连接在电池的正极和MN的漏极之间。
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