[发明专利]垂直存储器件有效
| 申请号： | 201610133440.3 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106409831B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄盛珉;金知勇;边大锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：多个栅电极，分别在多个水平处，在基本垂直于基板的顶表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，在基板上在垂直方向上延伸并穿过栅电极；和多个第一接触插塞，在垂直方向上延伸并分别接触栅电极。至少一个第二接触插塞形成在该多个栅电极当中的第一栅电极上，并在垂直方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直存储器件，包括：多个栅电极，分别在多个水平处，在垂直于基板的顶表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，在所述基板上在所述垂直方向上延伸并穿过所述栅电极；多个第一接触插塞，在所述垂直方向上延伸并分别接触所述多个栅电极；和至少一个第二接触插塞，在所述多个栅电极当中的第一栅电极上，所述至少一个第二接触插塞在所述垂直方向上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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