[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高数据的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)具备：位线(BL)，连接在选择晶体管(ST1)的一端；源极线(CELSRC)，连接在选择晶体管(ST2)的一端；选择线(SGD、SGS)及字线(WL)，分别连接在选择晶体管(ST1、ST2)及存储单元晶体管(MT)的栅极；以及控制电路(14)，进行选择晶体管(ST1)的写入动作；且在所述写入动作中，在对选择线(SGD)施加Vpgm之前，进行所述位线的预充电动作，在预充电动作中，对字线(WL)及选择线(SGS)施加Vusel，对源极线(CELSRC)施加高于Vusel的Vblh，且对所述第1选择线施加低于Vblh的Vg。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：存储器串，将第1选择晶体管、存储单元晶体管及第2选择晶体管串联连接而成；位线，连接在所述第1选择晶体管的一端；源极线，连接在所述第2选择晶体管的一端；第1选择线，连接在所述第1选择晶体管的栅极；字线，连接在所述存储单元晶体管的栅极；第2选择线，连接在所述第2选择晶体管的栅极；以及控制电路，进行所述第1选择晶体管的写入动作；且所述控制电路是在所述写入动作中，在对所述第1选择线施加写入电压之前进行所述位线的预充电动作；在所述预充电动作中，对所述字线及所述第2选择线施加第1电压，对所述源极线施加高于所述第1电压的第2电压，对所述第1选择线施加低于所述第2电压的第3电压。