[发明专利]微型发光二极管

摘要

本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。第一电极与第二电极中的至少一个为至少部分是透明的。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。

主权项

1.一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包含：第一型半导体层，由垂直于所述第一型半导体层的一方向观看时，所述第一型半导层具有第一面积，而所述第一型半导体层的一边缘具有第一周长；第二型半导体层，其连接所述第一型半导体层；第一边缘隔离结构，其连接所述第一型半导体层，其中由所述方向观看所述第一型半导体层时，所述第一型半导体层未被所述第一边缘隔离结构覆盖的部分具有第二面积，而所述第一型半导体层的所述边缘具有未被所述第一边缘隔离结构覆盖的部分，且所述边缘的所述部分具有第二周长；第一电极，其电性耦接所述第一型半导体层，其中所述第一型半导体层的边缘在所述第一电极上的垂直投影的至少一部分与所述第一电极重叠，且所述第一边缘隔离结构位于所述第一型半导体层的所述至少一部分上；以及第二电极，其电性耦接所述第二型半导体层，其中所述第一电极与所述第二电极中的至少一个为至少部分是透明的，其中所述第一周长与所述第一面积的比率，大于所述第二周长与所述第二面积的比率。