[发明专利]封装件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610133708.3 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106298716B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;刘国全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括：底部封装件，其包括：互连结构、位于互连结构上方的模塑料层、位于模塑料层中的半导体管芯和嵌入在模塑料层中的焊料层，其中，焊料层的顶面低于模塑料层的顶面，并且顶部封装件通过由焊料层和顶部封装件的凸块形成的接合结构接合在底部封装件上。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：底部封装件，包括：模塑料层，位于互连层的第一侧上；通孔，位于所述模塑料层中；和焊料层，位于所述通孔的顶面上；以及顶部封装件，接合在所述底部封装件上方，其中：所述顶部封装件包括第一凸块，并且其中，所述第一凸块和所述焊料层在所述顶部封装件和所述底部封装件之间形成接合结构，所述接合结构的下部由晶种层围绕，所述晶种层位于所述焊料层的与所述通孔相对的一侧上。
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