[发明专利]固体摄像元件及其制造方法

摘要

本发明为一种固体摄像元件，其包括：P阱(12)；栅绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的引脚层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱中；P‑型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的所述P阱中，且与所述引脚层接触；N‑型杂质区域(15)，其位于所述引脚层以及所述P‑型杂质区域下方的所述P阱中，且在与所述P‑型杂质区域接触的同时与所述栅绝缘膜接触；N+型杂质区域(24)，其位于所述栅电极的第二端部(20b)的下方的所述P阱中。

主权项

一种固体摄像元件，其特征在于，包括：第一导电型的半导体层；栅绝缘膜，其位于所述半导体层上；栅电极，其位于所述栅绝缘膜上；第一导电型的第一杂质区域，其位于与所述栅电极的第一端部相比靠外侧的所述半导体层；第一导电型的第二杂质区域，其至少位于与所述栅电极的第一端部相比靠内侧的所述半导体层，且与所述第一杂质区域接触；第二导电型的第三杂质区域，其位于所述第一杂质区域以及所述第二杂质区域的下方的所述半导体层，且在与所述第二杂质区域接触的同时与所述栅绝缘膜接触；第二导电型的第四杂质区域，其位于所述栅电极的第二端部的下方的所述半导体层；从与所述栅电极的第一端部相比靠外侧起朝向所述栅电极的第二端部的下方而以所述第一杂质区域、所述第二杂质区域、所述第三杂质区域、所述半导体层的顺序设定位置，且杂质浓度以所述第一杂质区域、所述第二杂质区域、所述半导体层的顺序变低。