[发明专利]磁流变阻尼器有效
申请号: | 201610134551.6 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN105972142B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 李润炫 | 申请(专利权)人: | 株式会社万都 |
主分类号: | F16F9/53 | 分类号: | F16F9/53 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种磁流变(MR)阻尼器,其包括填充有MR流体的缸体、延伸至缸体的外部的活塞杆和在被连接至活塞杆的状态下将缸体的内部分隔为压缩室和回弹室并且向内部产生电磁力的磁发生器,MR阻尼器包括:磁芯,其被连接至活塞杆的下端;磁通环,其被连接至磁芯的边缘,使得磁通环的侧表面紧密地接触缸体的内周表面,磁通环被形成为垂直地穿透磁通环与磁芯之间的主通道;以及缺口槽,其凹陷地形成在磁芯的侧表面处并且防止磁力不必要地形成在主通道的设置部处,使得MR流体在压缩和回弹行程期间被垂直地分流。 | ||
搜索关键词: | 流变 阻尼 | ||
【主权项】:
1.一种磁流变(MR)阻尼器,其包括填充有MR流体的缸体、延伸至所述缸体的外部的活塞杆和设置在所述缸体内部并产生电磁力的磁发生器,所述MR阻尼器包括:磁芯,其被连接至所述活塞杆的下端,将所述缸体的内部分隔为压缩室和回弹室;磁通环,其被连接至所述磁芯的边缘,使得所述磁通环的侧表面紧密地接触所述缸体的内周表面,所述磁通环被形成为垂直地穿透所述磁通环与所述磁芯之间的主通道;以及缺口槽,其被凹陷地形成在所述磁芯的侧表面处并且防止磁力不必要地形成在所述主通道的设置部处,使得所述MR流体在压缩行程和回弹行程期间被垂直地分流,所述MR阻尼器进一步包括在所述磁芯的边缘处使得所述磁发生器在被插入至其的侧表面中的状态下是可连接的环形连接槽,其中所述缺口槽垂直地穿透所述磁芯的上侧和下侧以及连接槽的侧表面并且被形成在所述磁芯的上侧和下侧以及连接槽的侧表面处。
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