[发明专利]一种用于驱动硅基雪崩光电二极管的电路结构在审
| 申请号： | 201610134790.1 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105827236A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 谢峰 | 申请（专利权）人： | 合肥汇芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/14 | 分类号： | H03K19/14;H03K19/094;H03K19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区黄山路*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于驱动硅基雪崩光电二极管的电路结构，其包括光伏二极管阵列、硅基雪崩光电二极管、充放电管理电路、场效应晶体管、高压偏置电路和偏置电压设置电路；所述充放电管理电路输入端的两端与光伏二极管阵列的正负极相连；充放电管理电路输出端的两端与场效应晶体管的栅极和源极相连；所述硅基雪崩光电二极管的阳极与场效应晶体管的漏极相连；高压偏置电路的输出端与硅基雪崩光电二极管的负极相连，偏置电压设置电路的输出端与高压偏置电路的输入端相连；本发明的有益效果是：该电路结构的响应速度快，无光时暗电流极低，光‑电流增益高，控制电路具有良好的隔离效果，电路功耗低且电路结构较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 驱动 雪崩 光电二极管 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种用于驱动硅基雪崩光电二极管的电路结构，其包括二极管；其特征在于：所述二极管包括光伏二极管阵列(102)和硅基雪崩光电二极管(103)，该电路结构还包括充放电管理电路(105)、场效应晶体管(104)、高压偏置电路(106)和偏置电压设置电路(107)；所述光伏二极管阵列(102)用于响应光信号产生光伏输出电压；充放电管理电路(105)输入端的两端与光伏二极管阵列(102)的正负极相连；充放电管理电路(105)输出端的两端与场效应晶体管(104)的栅极和源极相连；所述硅基雪崩光电二极管(103)的阳极与场效应晶体管(104)的漏极相连；高压偏置电路(106)的输出端与硅基雪崩光电二极管(103)的负极相连，偏置电压设置电路(107)的输出端与高压偏置电路(106)的输入端相连。
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