[发明专利]一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件

摘要

本发明公开了一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其器件结构由P型衬底；P型衬底上的BN+埋层和高压N阱（HV Nwell）；以及位于高压N阱（HV Nwell）中的P‑body、P‑base、P‑base、P‑body；位于P‑body之中的P+扩散区、N+扩散区、P+扩散区；位于P‑base之中的P+环形扩散区、N+扩散区；位于P‑base之中的P+环形扩散区、N+扩散区；位于P‑body之中的N+扩散区、P+扩散区、P+扩散区构成。本发明为可控硅静电防护器件，具有双向泄放静电的能力和基本对称的正反向静电防护特性；采用二极管反偏的击穿电压触发SCR的开启，有效地降低了SCR的触发电压；在版图的布局上将触发用二极管嵌入到SCR结构中，较大地节省了器件面积。

主权项

1.一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，包括：P型半导体衬底、形成于P型半导体衬底上的BN+埋层以及形成于BN+埋层上的高压N阱，所述的高压N阱内从左到右依次设有第一P‑body区、第一P‑base区、第二P‑base区、第二P‑body区；第一P‑body区内横向从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，纵向设有第五P+注入区与第一N+注入区交替分布；第一P‑base区内设有第二环形P+注入区、第二N+注入区，其中第二N+注入区被第二环形P+注入区包围；第二P‑base区内设有第三环形P+注入区、第三N+注入区，其中第三N+注入区被第三环形P+注入区包围；第二P‑body区内横向从左到右依次设有第四N+注入区、第四P+注入区，纵向设有第六P+注入区与第四N+注入区交替分布；所述第一P+注入区、第一N+注入区连接阳极，第四N+注入区和第四P+注入区连接阴极，正向路径的第二环形P+注入区、第三环形P+注入区、第五P+注入区通过导线Z连接；反向路径的第二环形P+注入区、第三环形P+注入区、第六P+注入区通过导线X连接；正向路径的第二N+注入区、第三N+注入区与反向路径的第二N+注入区、第三N+注入区通过导线Y连接。