[发明专利]具有可控通态电压的功率半导体整流器

摘要

本发明题为具有可控通态电压的功率半导体整流器。本发明的目的是提供一种具有低通态电压和高阻断能力的功率半导体整流器。此目的通过包括下列项的功率半导体整流器来实现：漂移层(32)，具有第一导电类型；以及电极层(35)，形成与所述漂移层(32)的肖特基接触，其中漂移层(32)包括具有低于1×1016cm‑3的峰值净掺杂浓度的基极层(321)以及与电极层(35)直接接触以形成肖特基接触的至少一部分的势垒调制层(322)，其中势垒调制层(322)的净掺杂浓度处于1×1016cm‑3与1×1019cm‑3之间的范围中，并且其中势垒调制层(322)沿与电极层(35)和势垒调制层(322)之间的界面垂直的方向具有至少1nm但小于0.2μm的层厚度。

主权项

 一种功率半导体整流器，包括：漂移层(32；42)，具有第一导电类型；以及电极层(35；45)，形成与所述漂移层(32；42)的肖特基接触，其中所述漂移层(32；42)包括具有低于1×10¹⁶cm^‑3的峰值净掺杂浓度的基极层（321；421），其特征在于，所述漂移层(32；42)包括势垒调制层(322)，所述势垒调制层(322)与所述电极层(35；45)直接接触，以形成所述肖特基接触的至少一部分，其中所述势垒调制层(322；422)的净掺杂浓度处于1×10¹⁶cm^‑3与1×10¹⁹cm^‑3之间的范围中，所述势垒调制层(322；422)沿与所述电极层(35；45)与所述势垒调制层(322；422)之间的界面垂直的方向具有至少1nm但小于0.2 μm的层厚度。