[发明专利]一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉有效
| 申请号： | 201610135278.9 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105568363B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 孙聂枫;王阳;王书杰;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，涉及半导体材料制备技术领域。本发明包括电极、热偶、加热器、炉室、源炉、机械臂、观察窗、上传动杆、密封盖、坩埚、下传动杆，通过机械臂将源炉插入熔体中，进行原位合成，利用观察窗观察合成情况，进而调节合成参数，合成完成后将密封盖降下，开始晶体生长。本发明采用原位合成多晶料并连续进行VGF单晶生长，提高了合成效率，避免了难熔氧化物的生产，减少了杂质沾污，提高材料纯度，降低生长界面孪晶的成核几率，减小杂质补偿，提高衬底晶片的电学参数，减少了工艺环节，节省了专门的高压合成设备，降低了晶体的位错密度和残余热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 原位 合成 连续 晶体生长 vgf 高压 | ||
【主权项】：
1.一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，包括电极(1)、热偶(2)、加热器(3)、炉室(4)、源炉(5)、机械臂(6)、观察窗(7)、上传动杆(8)、密封盖(9)、坩埚(10)、下传动杆(12)，坩埚(10)置于炉室(4)内，筒状的加热器(3)包绕在坩埚(10)的四周，电极(1)分设在加热器(3)的两侧，热偶(2)设置在加热器(3)的一侧，与坩埚驱动装置相连的下传动杆(12)设于炉室(4)的下方，其特征在于，还包括与升降装置相连的上传动杆(8)，上传动杆(8)自炉室(4)的上方穿入炉室(4)内，上传动杆(8)的下端设有能够封闭加热器(3)的密封盖(9)，上传动杆(8)为中空杆，密封盖(9)设有中心孔，观察窗(7)穿过上传动杆(8)和密封盖(9)的中心伸入到炉室(4)内，炉室(4)外设有与观察窗(7)连接的视频监控系统，用于向坩埚(10)注入挥发元素的源炉(5)与机械臂(6)相连，机械臂(6)与炉室(4)外的升降旋转驱动装置驱动连接，源炉(5)位于坩埚(10)的上方，升降旋转驱动装置驱动机械臂(6)使源炉(5)能够上下移动并旋转正对坩埚(10)上方或转开；热偶(2)自炉室(4)的下方伸入到炉室(4)内；开始合成时，下传动杆(12)向上移动，将装有熔体的坩埚(10)移动到加热器(3)上部位置，通过机械臂(6)将源炉(5)移动到坩埚上部，源炉(5)的注入管伸入到熔体内，源炉(5)加热，源炉(5)内的挥发元素液化或气化，注入坩埚(10)的熔体内，开始原位合成，合成结束后，源炉(5)和坩埚(10)都恢复到原来的位置，在合成结束后，通过升降装置，上传动杆下移，把密封盖(9)移动到加热器(3)上，将热场系统密封起来，开始化合物VGF单晶生长。
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