[发明专利]劣化分析方法

摘要

本发明提供一种能对含有两种以上二烯系聚合物的高分子材料的劣化状态，特别是表面状态的劣化状态进行详细分析的劣化分析方法。本发明涉及一种劣化分析方法，该方法通过对含有两种以上二烯系聚合物的高分子材料照射高亮度X射线，在改变X射线能量的同时测定X射线吸收量，来分析各二烯系聚合物的劣化状态。

主权项

1.一种劣化分析方法，该方法通过对硫交联高分子材料照射X射线，在改变X射线能量的同时测定X射线吸收量，通过NEXAFS测定求出高分子的劣化状态，以及通过照射一定能量的X射线，测定激发·释放的光电子而求出硫交联的劣化状态，由这些劣化状态求出高分子劣化与硫交联劣化的劣化比例，其中，通过将X射线的能量设定为260～400eV的范围对碳原子K壳层吸收端的必要范围进行扫描得到X射线吸收光谱，根据得到的X射线吸收光谱，由下述(式3‑1)计算出规格化常数α和β，对用该规格化常数α和β修正的碳原子K壳层吸收端的X射线吸收光谱进行波形分离，用得到的归属于285eV附近的π*跃迁的峰面积，由下述(式3‑2)求出高分子劣化度(％)，(式3‑1)[劣化前试样测定范围的X射线吸收光谱的总面积]×α＝1[劣化后试样测定范围的X射线吸收光谱的总面积]×β＝1(式3‑2)[1‑[(劣化后π*的峰面积)×β]/[(劣化前π*的峰面积)×α]]×100＝高分子劣化度(％)，其中，所述NEXAFS测定使用总电子产额法。