[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610136076.6 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105977158B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 河村真一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，提供半导体装置的制造方法，在基板上形成半导体层，在上述半导体层上形成第1绝缘膜，在上述第1绝缘膜上形成金属层，在上述金属层形成第1部分以及第2部分，以上述第1部分以及上述第2部分为掩模，向上述半导体层注入杂质，将上述第1部分去除，并且使上述第2部分缩小而形成栅极电极，以上述栅极电极为掩模，向上述半导体层注入杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在基板上形成半导体层，在上述半导体层上形成第1绝缘膜，在上述第1绝缘膜上形成金属层，在上述金属层上将抗蚀剂材料成膜，经由局部透射率不同的光掩模，将上述抗蚀剂材料曝光，从而在上述金属层的第1部分形成第1膜厚的第1抗蚀剂，在上述金属层的第2部分形成比上述第1膜厚厚的第2膜厚的第2抗蚀剂，通过去除从上述第1抗蚀剂及上述第2抗蚀剂露出的上述金属层，形成上述金属层的上述第1部分以及上述第2部分，除去上述金属层时，使上述第2抗蚀剂缩小而残留在上述第2部分上，以上述第1部分以及上述第2部分为掩模，向上述半导体层注入杂质，通过蚀刻，将上述第1部分去除，并且使上述第2部分缩小而形成栅极电极，以上述栅极电极为掩模，向上述半导体层注入杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
