[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610136210.2 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105977238B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 井村行宏;木村吉孝;秋野胜 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有能够借助激光进行切断的熔断元件且具有耐腐蚀性。以从半导体衬底的背面照射的激光在熔断元件上聚光而能够进行发热、膨胀、破裂的方式，在熔断元件的上部隔着金属的格子和留在其间的层间膜配置有氮化硅膜。为了防止水分的侵入，在半导体装置的正面配置有相同厚度的氮化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有借助激光进行切断的熔断元件，该半导体装置具有：半导体衬底；场绝缘膜，其设置于所述半导体衬底的正面；熔断元件，其设置于所述场绝缘膜之上；中间绝缘膜，其覆盖所述熔断元件的侧面和上表面；金属的格子，其设置于所述中间绝缘膜之上并覆盖所述熔断元件；层间膜，其设置于所述格子的周围；开口区域，其设置于所述层间膜并具有侧面和底部；以及氮化硅膜，其覆盖所述开口区域的正面。
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