[发明专利]一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法有效
申请号: | 201610136615.6 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105702756B | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 欧阳霄;马任平;张凯;宫建茹 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 巩克栋,侯潇潇 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法,所述光电极包括导电基底、骨架层和光电转化层,光电转化层表面具有周期性水平排列的圆孔。其制备方法主要包括在导电基底上形成单层聚苯乙烯球膜;在覆有单层聚苯乙烯球膜的导电基底上制得骨架层;在制得骨架层的导电基底上沉积Fe膜,然后在有氧氛围下进行煅烧形成光电氧化层,得到具有二维光子晶体结构的光电极。本发明通过引入二维光子晶体结构,使电极的光催化活性有了显著的提高,能够有效提高电极在不同方向光照射下的光电催化活性;同时,所述制备方法简单,成本低廉,大大降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 二维 光子 晶体结构 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有二维光子晶体结构的光电极,其特征在于,所述光电极包括导电基底,导电基底的一侧由内向外依次为骨架层和光电转化层,光电转化层表面具有周期性水平排列的圆孔;所述骨架层呈纳米网状结构;所述光电极由以下方法制备得到:(1)以聚苯乙烯球或SiO2球为模板,在导电基底上形成单层聚苯乙烯球或SiO2球膜;(2)在覆有单层聚苯乙烯球或SiO2球膜的导电基底上加入前驱液至前驱液浸润单层聚苯乙烯球或SiO2球膜后,在有氧氛围下进行煅烧,冷却,制得骨架层;(3)在制得骨架层的导电基底上沉积金属膜,然后在有氧氛围下进行煅烧形成光电氧化层,得到具有二维光子晶体结构的光电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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