[发明专利]存储器装置有效
| 申请号： | 201610137236.9 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106531219B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 桥本寿文;中野威 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可靠性高的存储器装置。实施方式的存储器装置包含：第1存储单元，设置在沿与半导体衬底交叉的方向延伸的半导体层的侧面上；以及控制器，控制对所述第1存储单元的写入动作；并且在第1编程动作后的第1验证动作时，在進行对所述第1存储单元的数据读取后，对所述半导体层进行充电。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其特征在于包括：/n第1存储单元，设置在相对于半导体衬底的表面沿垂直方向延伸的半导体柱的侧面上；/n第2存储单元，设置在所述半导体柱的侧面上；/n第1选择晶体管，在所述半导体柱的侧面上，设置在所述第1存储单元的所述半导体衬底侧；/n第2选择晶体管，在所述半导体柱的侧面上，设置在所述第1存储单元的与所述半导体衬底侧相反的一侧；/n第1字线，连接于所述第1存储单元的栅极；/n第2字线，连接于所述第2存储单元的栅极；/n源极线，经由所述半导体衬底连接于所述半导体柱；以及/n控制器，控制对所述第1存储单元的写入动作；并且/n在第1编程动作后的第1验证动作时，在進行用来验证的对所述第1存储单元的数据读取后，对所述半导体柱进行充电；/n在所述数据的读取时，/n对所述第1字线施加第1电压，对所述第2字线施加高于所述第1电压的第2电压；/n在所述数据的读取后，/n将所述第1选择晶体管接通，将所述第2选择晶体管断开，/n对所述第1及第2字线施加所述第2电压，/n将所述源极线的电位增加而对所述半导体柱充电，且/n在所述半导体柱的充电后，将所述源极线和所述第1及第2字线的电位设定为接地电位。/n
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