[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：SiC层，其具有第1面及第2面；第1电极，其与第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，其设置在SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，其至少一部分包围第1电极与第1面相接的区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，其包围第2SiC区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间，第2导电型杂质浓度低于第3SiC区域；及第2导电型的第4SiC区域，其设置在第2SiC区域与第3SiC区域之间的SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于具备：SiC层，具有第1面及第2面；第1电极，与所述第1面相接；第1导电型的第1 SiC区域，设置在所述SiC层内；第2导电型的第2 SiC区域，至少一部分包围所述第1电极与所述第1面相接的区域而设置在所述SiC层内，且设置在所述第1 SiC区域与所述第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，包围所述第2 SiC区域而设置在所述SiC层内，且设置在所述第1 SiC区域与所述第1面之间，第2导电型杂质浓度低于所述第2 SiC区域；以及第2导电型的第4 SiC区域，设置在所述第2 SiC区域与所述第3 SiC区域之间的所述SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于所述第2 SiC区域，所述第4 SiC区域的以所述第1面为基准的深度比所述第2 SiC区域及所述第3 SiC区域的以所述第1面为基准的深度浅。