[发明专利]一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法有效
| 申请号： | 201610137382.1 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105823782B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郭剑;王紫东;贾越辉;龚欣;彭沛;田仲政;任黎明;傅云义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 中晶界 原子 缺陷 表征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法,步骤如下：1)将制备有二维材料的衬底片烘干；2)在光学显微镜的载物台上固定放电电极，并将覆盖有二维材料的衬底片放置在载物台上；3)向衬底片表面通混有水蒸气的惰性气体，并在放电电极之间设置电压；4)在高倍光学显微镜下观察吸附在二维材料表面的小水珠的分布情况,随后烘干衬底片，完成二维材料中晶界和原子的缺陷表征。
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