[发明专利]一种半极性AlN模板

摘要

本发明公开了一种半极性AlN模板，其具有半极性显露面，并且包含有孪晶结构或孪晶结构。本发明的半极性AlN模板可直接选用c面蓝宝石或SiC等作为衬底形成，而不需要r面蓝宝石，不仅可以减少AlN外延层中的层错，且成本低廉，而且其制备工艺简单，生长条件易于控制，在生长过程中无二次污染之虞，因此具有较高质量。

主权项

1.一种半极性AlN模板，其特征在于，所述半极性AlN模板具有半极性显露面，同时，所述半极性AlN模板包括：形成于AlN基材显露面上的孪晶结构或孪晶结构，所述AlN基材为[0001]取向的，且显露面为或以及，形成于所述孪晶结构或孪晶结构上的、取向的AlN材料。