[发明专利]半导体发光装置有效
申请号: | 201610137734.3 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN106257698B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 泽野正和;胜野弘;宫部主之 | 申请(专利权)人: | 阿尔发得株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的半导体发光装置包括:发光体,包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层;配置在发光体的第2半导体层侧的衬底;在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层,其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸;覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层,其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层,其隔着导电层设置在延伸部;发光体包括:包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面;并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹陷部,其侧壁经由曲面与侧面连接。 | ||
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【主权项】:
一种半导体发光装置,其特征在于包括:发光体,包含:第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层;衬底,配置在所述发光体层的所述第2半导体层侧;第1金属层,在所述衬底与所述发光体之间电连接于所述第1半导体层及所述第2半导体层的任一层,且从所述衬底与所述发光体之间沿着所述衬底向所述发光体的外侧延伸;导电层,覆盖位于所述发光体的外侧的所述第1金属层的延伸部,并延伸在所述发光体与所述第1金属层之间;以及第2金属层,在所述衬底上与所述发光体并排设置,并隔着所述导电层设置在所述延伸部上;所述发光体包括:第1面,包含所述第1半导体层的表面;第2面,包含所述第2半导体层的表面;以及侧面,包含所述第1半导体层的外缘;所述发光体包括:在与所述第1面平行的方向上从所述侧面朝向内侧凹陷的凹部,所述第2金属层设置在所述凹部,所述凹部的侧壁经由曲面与所述侧面连接。
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