[发明专利]半导体发光装置有效
申请号: | 201610137827.6 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN106531758B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之 | 申请(专利权)人: | 阿尔发得株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/64 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实施方式的半导体发光装置包括:导电性的衬底;及2个以上的发光体,并列设置在所述衬底上,且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外,本发明包括:第1电极,设置在所述第1发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底;第2电极,设置在所述第2发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第2发光体的第1半导体层;及第1配线,将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,其特征在于包括:导电性的衬底;2个以上的发光体,并列设置在所述衬底上,分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层,且所述2个以上的发光体包括:第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体;第1电极,设置在所述第1发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第1发光体的第1半导体层;第2电极,设置在所述第2发光体与所述衬底之间,且电连接于所述第2发光体的第1半导体层,而不与所述衬底电连接;及第1配线,具有横跨所述第1发光体与所述第2发光体的第1部分、及在所述第2发光体中延伸且电连接于所述第2电极的第2部分,且将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接;且所述第1电极及所述第2发光体的第2半导体层的任一者电连接于所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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