[发明专利]用于半导体器件的传感器

摘要

本发明涉及用于半导体器件的传感器。呈现了一种半导体布置，包括：半导体本体，半导体本体包括半导体漂移区，其中半导体漂移区具有第一导电类型的掺杂剂；第一半导体感测区以及第二半导体感测区，其中第一半导体感测区以及第二半导体感测区中的每一个电连接至半导体漂移区并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；包括第一金属材料的第一金属接触，第一金属接触与第一半导体感测区接触，其中第一金属接触与第一半导体感测区之间的转变形成第一金属至半导体转变；包括不同于第一金属材料的第二金属材料的第二金属接触，第二金属接触与第一金属接触分开并且与第二半导体感测区接触。

主权项

1.一种半导体布置（1），包括：‑ 半导体本体（10），所述半导体本体（10）包括半导体漂移区（103），其中所述半导体漂移区（103）具有第一导电类型的掺杂剂；‑ 第一半导体感测区（101）以及第二半导体感测区（102），其中所述第一半导体感测区（101）以及所述第二半导体感测区（102）中的每一个电连接至所述半导体漂移区（103）并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂；‑ 包括第一金属材料的第一金属接触（11），所述第一金属接触（11）与所述第一半导体感测区（101）接触，其中所述第一金属接触（11）与所述第一半导体感测区（101）之间的转变形成第一金属至半导体转变（111）；‑ 包括不同于所述第一金属材料的第二金属材料的第二金属接触（12），所述第二金属接触（12）与所述第一金属接触（11）分开并且与所述第二半导体感测区（102）接触，所述第二金属接触（12）与所述第二半导体感测区（102）之间的转变形成不同于所述第一金属至半导体转变（111）的第二金属至半导体转变（121）；‑ 第一电传输装置（112），所述第一电传输装置（112）被布置并且配置为用于将由所述第一金属接触（11）的电参数推导出的第一感测信号（11‑1）提供至感测信号处理单元（2）的第一信号输入端（21）；‑ 与所述第一电传输装置（112）分开的第二电传输装置（122），所述第二电传输装置（122）被布置并且配置为用于将由所述第二金属接触（12）的电参数推导出的第二感测信号（12‑1）提供至所述感测信号处理单元（2）的第二信号输入端（22）。