[发明专利]一种GaN集成器件

摘要

本发明涉及了一种GaN集成器件，包括外延结构、AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器，所述外延结构由下至上依次为衬底、成核层、GaN过渡层、N‑GaN集电区、P‑GaN基区、N型发射区、N⁺‑GaN帽层、器件隔离层、AlN层，所述外延结构上开设有2个器件隔离区，所述器件隔离区从AlN层上表面嵌入延伸至GaN过渡层内部，所述器件隔离区将AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器隔开。本发明的有益效果是：将AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器集成，实现整个RF接收组件的器件级集成，可进一步提高IC功能，提高集成度，简化系统，降低尺寸，降低成本。

主权项

1.一种GaN集成器件，其特征在于：包括外延结构、AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器，所述外延结构由下至上依次为衬底、成核层、GaN过渡层、N‑GaN集电区、P‑GaN基区、N型发射区、N+‑GaN帽层、器件隔离层、AlN层，所述外延结构上开设有2个器件隔离区，其中一个器件隔离区从AlN层上表面嵌入延伸至GaN过渡层内部，另一个器件隔离区从N‑GaN集电区上表面嵌入延伸至GaN过渡层内部，所述器件隔离区将AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器隔开，其中，所述AlN SAW器件包括在所述GaN过渡层上依次形成的第一N‑GaN集电区、第一P‑GaN基区、第一N型发射区、第一N+‑GaN帽层、器件隔离层、AlN层和SAW电极；所述GaN HBT器件包括在所述GaN过渡层上依次形成的第二N‑GaN集电区、第二P‑GaN基区、第二N型发射区、第二N+‑GaN帽层；所述PN二极管限幅器包括在所述GaN过渡层上依次形成的第三N‑GaN集电区和第三P‑GaN基区；所述GaN HBT器件和所述PN二极管限幅器所在区域的N‑GaN集电区上具有N型电极，所述第二N+‑GaN帽层上具有N型电极，所述第二N型发射区两侧的第二P‑GaN基区上分别具有P型电极，所述第三P‑GaN基区上具有P型电极。