[发明专利]层叠器件的制造方法有效
申请号: | 201610139782.6 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN105990208B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 儿玉祥一;前田辰秀;金永淑;川合章仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 层叠器件的制造方法。在本发明中,借助临时粘合材料(4)临时粘合于第1器件晶片(1)的正面(1a)的支承晶片(3)由硅晶片构成,在实施贴合晶片形成工序之后,实施临时粘合材料露出工序使临时粘合材料(4)露出时,由于不对临时粘合材料(4)进行加热,对支承晶片(3)至少进行磨削而将其去除,因此,能够容易地将支承晶片(3)从第1器件晶片(1)去除,层叠的状态的第1器件晶片(1)和第2器件晶片(2)不会产生偏移。在临时粘合材料露出工序之后,实施临时粘合材料去除工序,由于将临时粘合材料(4)从第1器件晶片(1)的器件(D)去除,因此,能够同时进行临时粘合材料(4)的去除和器件(D)的清洗。 | ||
搜索关键词: | 层叠 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种层叠器件的制造方法,该层叠器件层叠有多个半导体器件,其中,该层叠器件的制造方法包含:第1器件晶片准备工序,准备第1器件晶片,该第1器件晶片在正面的由交叉的分割预定线划分出的区域内形成有器件;支承晶片准备工序,准备由硅晶片构成的支承晶片;第2器件晶片准备工序,准备第2器件晶片,该第2器件晶片在正面的由交叉的分割预定线划分出的区域内形成有器件;临时晶片形成工序,通过临时粘合材料将该第1器件晶片的正面与该支承晶片临时粘合而形成临时晶片;减薄工序,通过卡盘工作台来保持构成该临时晶片的该支承晶片并对该第1器件晶片的背面侧进行磨削,由此,将该第1器件晶片减薄至规定的厚度;贴合晶片形成工序,以维持临时粘合有该支承晶片的状态,将在该减薄工序中减薄后的该第1器件晶片的被磨削面与该第2器件晶片的正面贴合而形成贴合晶片;临时粘合材料露出工序,通过卡盘工作台来保持该贴合晶片形成工序中形成的该贴合晶片的该第2器件晶片的背面并至少对该支承晶片进行磨削而使该临时粘合材料露出;临时粘合材料去除工序,将在该临时粘合材料露出工序中露出的临时粘合材料从该第1器件晶片的正面去除而使该第1器件晶片的正面露出;以及贯穿电极形成工序,在该临时粘合材料去除工序之后,形成贯穿该第1器件晶片和该第2器件晶片的贯穿电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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