[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201610139919.8 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN106024602A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 铃木克彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供将晶片加工得较薄时使用的经济性优良的晶片的加工方法。晶片(11)在正面(11a)侧具有形成有多个器件(19)的器件区域(13)和包围器件区域的外周剩余区域(15),该晶片的加工方法包含如下的工序:晶片加工工序,从背面(11b)侧使晶片的相当于器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部(23),并且维持晶片的相当于外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部(25);保护膜覆盖工序,仅对晶片的正面侧的相当于薄化部与加强部的边界的区域覆盖保护膜(29);加工槽形成工序,从晶片的正面侧对覆盖有保护膜的区域照射激光光线(L)而在晶片上形成加工槽;以及加强部去除工序,将加强部从晶片去除。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域以及包围该器件区域的外周剩余区域,该晶片的加工方法的特征在于,包含如下的工序:晶片加工工序,从背面侧使晶片的相当于该器件区域的部分变薄而形成圆形的薄化部,并且维持晶片的相当于该外周剩余区域的部分的厚度而形成环状的加强部;保护膜覆盖工序,仅对晶片的正面侧的相当于该薄化部与该加强部的边界的区域覆盖保护膜;加工槽形成工序,从晶片的正面侧对覆盖有该保护膜的区域照射激光光线而在晶片上形成加工槽;以及加强部去除工序,将该加强部从晶片去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造