[发明专利]第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610140279.2 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105977354B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 藤田武彦;渡边康弘 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明课题在于提供具有高寿命的第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。第III族氮化物半导体发光元件(1)的特征在于，其依次具备n型半导体层(32)、至少包含Al的发光层(40)、以及依次层叠有电子阻挡层(51)和p型包层(152)和p型接触层(53)的p型半导体层(150)，电子阻挡层(51)为AlxGa1‑xN(0.55≤x≤1.0)、p型接触层(53)为AlyGa1‑yN(0≤y≤0.1)、p型包层(152)为AlzGa1‑zN、Al组成z在p型包层(152)的整个厚度范围从电子阻挡层(51)侧向p型接触层(53)侧递减，p型包层(152)的Al组成z的厚度方向的减少率为0.01/nm以上且0.025/nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，其依次具备n型半导体层、至少包含Al的发光层、以及依次层叠有电子阻挡层、p型包层和p型接触层的p型半导体层，所述电子阻挡层为AlxGa1‑xN，其中0.55≤x≤1.0，所述p型接触层为AlyGa1‑yN，其中0≤y≤0.1，所述p型包层为AlzGa1‑zN，且Al组成z在所述p型包层的整个厚度范围从所述电子阻挡层侧向所述p型接触层侧递减，所述p型包层的Al组成z的厚度方向的减少率为0.01/nm以上且0.025/nm以下，并且p型包层的Al组成z的递减从电子阻挡层的精确Al组成x以下开始递减，其中，p型包层的厚度为28nm以上且70nm以下。
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