[发明专利]二维材料结构的制造方法和二维材料器件有效
| 申请号： | 201610140337.1 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105895530B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 粟雅娟;贾昆鹏;赵超;战俊;曹合适 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种二维材料结构的制造方法和二维材料器件。所述二维材料结构的制造方法包括：在衬底上形成牺牲FIN结构；释放所述牺牲FIN结构；在释放所述FIN结构的位置处形成载体FIN结构；以及以所述载体FIN结构为基底，自限制地生长二维材料纳米结构。通过使用牺牲Fin结构来实现二维材料纳米结构的自限制生长，具有精度高、边缘粗糙度低、通量大、工艺偏差小等特点，同时与现有硅基CMOS大规模集成电路工艺高度兼容，适用于二维材料以及相关器件的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 材料 结构 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料结构的制造方法，包括：在衬底上形成牺牲FIN结构；用电介质覆盖所述牺牲FIN结构，形成电介质层；释放所述牺牲FIN结构；在释放所述FIN结构的位置处形成载体FIN结构；对所述电介质层进行刻蚀以暴露出所述载体FIN结构的顶端、侧面或者两者；以及以所述载体FIN结构为基底，自限制地生长二维材料结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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