[发明专利]半导体封装、半导体封装结构及制造半导体封装的方法有效
| 申请号： | 201610140408.8 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990326B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 林子闳;彭逸轩;萧景文 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/488;H01L21/50 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装、半导体封装结构及制造半导体封装的方法，以改善半导体封装的稳定性。其中该半导体封装结构包括：半导体封装。该半导体封装包括：半导体祼芯片、重分布层结构和导电柱结构。其中，该重分布层结构耦接至该半导体祼芯片，该导电柱结构设置在该重分布层结构中远离该祼芯片的表面上，并耦接至该重分布层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体封装和堆叠在该第一半导体封装之上的第二半导体封装；其中，该第一半导体封装包括：第一半导体祼芯片；第一动态随机存取存储器祼芯片，安装于该第一半导体祼芯片之上第一重分布层结构，耦接至该第一半导体祼芯片；以及导电柱结构，设置在该第一重分布层结构中远离该第一半导体祼芯片的表面上，其中该导电柱结构耦接至该第一重分布层结构；其中，该第二半导体封装包括：主体，具有祼芯片接触面和相对于该祼芯片接触面的凸块接触面；以及第二动态随机存取存储器祼芯片，安装在该祼芯片接触面之上并且通过接合线耦接至该主体；其中，该第一动态随机存取存储器祼芯片的输入/输出引脚数量不同于该第二动态随机存取存储存储器祼芯片的输入/输出引脚数量。
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