[发明专利]非易失性半导体存储装置及存储器系统有效
申请号: | 201610140470.7 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN106653082B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 平嶋康伯;小柳胜 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能提高处理能力的非易失性半导体存储装置及存储器系统。实施方式的存储器系统(1)包括第1非易失性半导体存储装置(10)与控制器(100)。第1非易失性半导体存储装置(10)包含:第1电路(60),连接于接收第2信号REn的第1端子;及第2电路(52),根据第1信号ODTEN而控制第1电路(60)。第2电路(52)在当切换第1信号ODTEN的逻辑电平时第2信号REn为第1逻辑(“H”)电平的情况下,将第1及第2开关元件(61)及(62)断开,且在第2信号REn为第2逻辑(“L”)电平的情况下,将第1及第2开关元件(61)及(62)接通。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 装置 存储器 系统 | ||
【主权项】:
一种存储器系统,其特征在于包括:第1非易失性半导体存储装置;及控制器;且所述控制器能够将第1信号、及控制于读出动作中读出数据的时序的第2信号发送至所述第1非易失性半导体存储装置,所述第1非易失性半导体存储装置包含:第1端子,连接于所述控制器,并接收所述第2信号;第1电路,包含连接于所述第1端子的第1及第2电阻元件、将该第1电阻元件与电源电压线电连接的第1开关元件、及将该第2电阻元件与接地电压线电连接的第2开关元件;及第2电路,使用所述第1信号控制所述第1电路;所述第2电路在当切换所述第1信号的逻辑电平时所述第2信号处于第1逻辑电平的情况下,将所述第1及第2开关元件断开,且在所述第2信号处于第2逻辑电平的情况下,将所述第1及第2开关元件接通。
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