[发明专利]用于鳍片上受限于间隔件的外延成长材料的罩盖层有效
| 申请号： | 201610140775.8 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105977159B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | A·C·魏;G·布赫 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于鳍片上受限于间隔件的外延成长材料的罩盖层，其一种方法，包括在半导体衬底中形成至少一个鳍片。鳍片间隔件形成在该至少一个鳍片的至少第一部分上。该鳍片间隔件具有上表面。该至少一个鳍片被凹陷，从而定义出具有凹陷上表面的凹陷鳍片，该凹陷上表面的高度低于该鳍片间隔件的该上表面。第一外延材料形成在该凹陷鳍片上。该第一外延材料的横向延伸受到该鳍片间隔件限制。罩盖层形成在该第一外延材料上。移除该鳍片间隔件。该罩盖层在该鳍片间隔件的移除期间保护该第一外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 鳍片上 受限 间隔 外延 成长 材料 盖层 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体衬底中形成至少一个鳍片；在该至少一个鳍片的至少第一部分上形成鳍片间隔件，该鳍片间隔件具有上表面；使该至少一个鳍片凹陷，从而定义出具有凹陷上表面的凹陷鳍片，该凹陷上表面的高度低于该鳍片间隔件的该上表面；在该凹陷鳍片上形成第一外延材料，其中，该第一外延材料的横向延伸受到该鳍片间隔件限制；在该第一外延材料上形成罩盖层；以及移除该鳍片间隔件，其中，该罩盖层在移除该鳍片间隔件期间保护该第一外延材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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