[发明专利]一种含二茂铁层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610140852.X 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN105655488B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 陈瑜;周人杰;薛松;姚镇章;刘世博 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 代理人: 刘书元
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种含二茂铁层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池领域,首先提供具有透明导电层FTO薄膜的导电玻璃,在FTO薄膜层上旋涂法TiO2致密层,然后旋涂TiO2多孔层,之后经一步旋涂法制备钙钛矿吸光层,将配制好的空穴传输材料Spiro‑OMeTAD溶液旋涂制备成空穴传输层,再将由导电纳米碳粉溶剂分散后滴涂法制备而成的碳对电极置于空穴传输层之上。最后将制备好的二茂铁层压制在碳对电极上,构成回路,制备出含二茂铁层的钙钛矿太阳能电池。本发明加入二茂铁之后有效的提升了电池光电效率,效果明显。
搜索关键词: 一种 含二茂铁层 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种含二茂铁层的钙钛矿太阳能电池,由下至上依次包括层叠的导电玻璃、致密层、多孔层、具有钙钛矿结构的吸光层、空穴传输层、碳对电极,其特征在于:还包括设置在碳电极上的二茂铁层,所述的二茂铁层是旋涂一定浓度二茂铁的导电玻璃;其中所述的二茂铁层中二茂铁浓度范围在5~70mg/mL之间;所述的二茂铁层压制在碳电极上,二茂铁层的面积小于或等于碳对电极的面积。
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