[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610141256.3 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN106158968A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;成石铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括第一侧壁和面对第一侧壁的第二侧壁；以及场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，其中，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。
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