[发明专利]显示装置、半导体装置以及它们的驱动方法有效
| 申请号： | 201610142568.6 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105632566B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 梅崎敦司;木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种实现更好工作的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及与第一晶体管的栅极电连接的第二晶体管，其中第一晶体管的第一端子与第一布线电连接，第一晶体管的第二端子与第二布线电连接，并且第一晶体管的栅极与第二晶体管的第一端子或第二端子电连接。在上述半导体装置中，第一及第二晶体管可以使用至少在沟道区中具有氧化物半导体且低截止电流的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 半导体 装置 以及 它们 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管，/n其中：/n所述第一至第七晶体管的每个包含沟道区中的氧化物半导体；/n所述第一晶体管的源极和漏极中的一方电连接到第一布线；/n所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到第二布线；/n所述第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到第三布线；/n所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到所述第二布线；/n所述第三晶体管的源极和漏极中的一方电连接到所述第三布线；/n所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到所述第二布线；/n所述第四晶体管的源极和漏极中的一方电连接到所述第二布线；/n所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到所述第一晶体管的栅极；/n所述第四晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的栅极；/n所述第五晶体管的源极和漏极中的一方电连接到第四布线；/n所述第五晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到所述第一晶体管的所述栅极；/n所述第六晶体管的源极和漏极中的一方电连接到所述第四布线；/n所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到所述第一晶体管的所述栅极；/n所述第七晶体管的源极和漏极中的一方电连接到所述第三布线；/n所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一方电连接到所述第一晶体管的所述栅极；以及/n所述第七晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的栅极。/n
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