[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610142653.2 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810752B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置。所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n衬底上的第一金属氧化物膜；/n所述第一金属氧化物膜上且与所述第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；/n与所述氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极；/n所述氧化物半导体膜上且与所述氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；/n所述第二金属氧化物膜上且与所述第二金属氧化物膜接触的第一绝缘膜；以及/n所述第一绝缘膜上的栅电极，/n其中，所述氧化物半导体膜在沟道宽度方向上被所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜所围绕，/n其中，所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜在没有所述氧化物半导体膜的区域中彼此接触，以及/n其中，所述源电极和漏电极设置于所述氧化物半导体膜与所述第二金属氧化物膜之间。/n
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