[发明专利]一种基于h细化的电阻层析成像有限元建模方法有效
| 申请号： | 201610143207.3 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105843984B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 肖理庆;唐翔 | 申请（专利权）人： | 淮南师范学院 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 刘囝 |
| 地址： | 232000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于h细化的电阻层析成像有限元建模方法，其包括以下步骤：1)建立可有效提高电阻层析成像正问题计算精度的有限元模型a；2)以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量，以敏感场均匀分布时电阻层析成像灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数，利用改进粒子群算法h细化有限元模型a，得到基于h细化的有限元模型b；3)完成有限元模型b节点与有限元的编号。本发明在不影响电阻层析成像正问题计算精度的前提下，改善了敏感场均匀分布时电阻层析成像灵敏度矩阵的病态性，有效提高了电阻层析成像图像重建质量，可广泛适用于以灵敏度理论为基础的电阻层析成像图像重建算法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 细化 电阻 层析 成像 有限元 模型 | ||
【主权项】：
1.一种基于h细化的电阻层析成像有限元建模方法，其包括以下步骤：1)建立可有效提高电阻层析成像正问题计算精度的有限元模型a；2)将有限元模型a分为采取h细化的区域与未采取h细化的区域两部分，以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量，以敏感场均匀分布时电阻层析成像灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数，利用改进粒子群算法h细化有限元模型a，得到基于h细化的有限元模型b；3)完成有限元模型b节点与有限元的编号。
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