[发明专利]介电陶瓷组合物和陶瓷电子部件有效
申请号: | 201610143554.6 | 申请日: | 2016-03-14 |
公开(公告)号: | CN105967679B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 兼子俊彦;藤野辰哉;森崎信人;伊藤康裕 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01B3/12;H01G4/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种介电陶瓷组合物,其特征在于,所述介电陶瓷组合物含有:具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、作为稀土元素的氧化物的第1副成分、和作为Si的氧化物的第2副成分,至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒,上述偏析颗粒中的上述稀土元素的浓度为上述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的上述稀土元素的平均浓度的2倍以上,在切断上述介电陶瓷组合物的截面中,上述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0%以下,各个上述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm2以下。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 组合 电子 部件 | ||
【主权项】:
1.一种介电陶瓷组合物,其特征在于,所述介电陶瓷组合物含有:具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分,其中,所述A为选自Ba、Ca以及Sr中的至少1种,所述B为选自Ti以及Zr中的至少1种;第1副成分,该第1副成分为稀土元素的氧化物;和第2副成分,该第2副成分为Si的氧化物,所述介电陶瓷组合物至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒,所述偏析颗粒的全部区域中的所述稀土元素的浓度为所述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的所述稀土元素的平均浓度的2倍以上,在切断所述介电陶瓷组合物的截面中,所述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0%以下,各个所述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm2以下。
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