[发明专利]减压处理装置

摘要

提供一种减压处理装置，在将晶片吸附保持于静电卡盘上而进行等离子蚀刻的情况下，不需要切换对下部电极所施加的电压。在搬入构件(8)将晶片(W)搬入到腔室内并使保持部(82)所保持的晶片(W)与静电卡盘(3)的吸附面(32)接触的状态下，将保持部(82)与地线连接并且对下部电极(33)施加直流电压，解除保持部(82)对晶片(W)的吸附并且使保持部(82)离开晶片(W)，由此使静电卡盘(3)与晶片(W)带有极性相互不同的电荷，由吸附面(32)对晶片(W)进行吸附保持。

主权项

1.一种减压处理装置，其通过等离子化了的反应气体对晶片进行加工处理，其特征在于，该减压处理装 置具有：由绝缘材料形成的静电卡盘，其将上表面作为吸附面并在内部具有下部电极，该吸附面对晶片进行静电吸附；上部电极，其与该静电卡盘的该吸附面相对并配设于该静电卡盘的上方；腔室，其对该静电卡盘和该上部电极进行收纳；搬入构件，其将晶片搬入到该腔室内并将晶片载置于该吸附面上；减压构件，其对该腔室内进行减压；气体供给构件，其对该腔室内供给反应气体；以及高频电压施加构件，其对该静电卡盘施加高频电压，将供给到该腔室内的反应气体等离子化，该搬入构件包含：保持部，其具有与晶片的上表面接触的导电性的接触部，对晶片进行保持；导通构件，其使该保持部与地线导通；以及驱动构件，其将该保持部所保持的晶片载置于该静电卡盘上，在将该搬入构件的该保持部所保持的晶片搬入到该腔室内并使该晶片与该静电卡盘的该吸附面接触的状态下，借助该导通构件将该保持部与地线连接并且对该下部电极施加直流电压，接着，解除该保持部对晶片的吸附并且使该保持部离开晶片，由此使该静电卡盘与晶片带有极性相互不同的电荷，由该静电卡盘的该吸附面对晶片进行吸附保持。