[发明专利]一种ADC芯片参考电压测试校准方法

摘要

本发明公开了一种ADC芯片参考电压测试校准方法，采用测试电路提供一个准确的标准参考电压信号Vstd，此信号输入到芯片IC内部的比较器，比较器将ADC待校准电压Vref与标准参考电压Vstd进行比较，并将电压比较结果输入到校准值产生模块，校准值产生模块的功能是根据Vref与Vstd偏差的大小，得到电压校准参数trim_para，参考电压产生电路根据电压校准参数trim_para对其输出的参考电压值进行调整。本发明不需要外部测试设备带有电压测量仪器或者电压比较器资源；测试过程中不需要通过测试通信引脚将电压校正参数写入到IC中，而是由IC实现参考电压的内部自校准，相对节省测试时间。

主权项

一种ADC芯片参考电压测试校准方法，其特征在于，采用测试电路提供一个准确的标准参考电压信号Vstd，此信号输入到芯片IC内部的比较器，比较器将ADC待校准电压Vref与标准参考电压Vstd进行比较，并将电压比较结果输入到校准值产生模块，校准值产生模块的功能是根据Vref与Vstd偏差的大小，得到电压校准参数trim_para，参考电压产生电路根据电压校准参数trim_para对其输出的参考电压值进行调整，使待校准电压Vref校准参数trim_para的位宽为16比特，它的范围为0x0000~0xffff，校准参数的值与参考电压的调整值ΔV成正比例关系，开始校准时，trim_para=0x8000，根据电压比较器的比较输出结果，参考电压可以向正、负两个方向调整，0x0000对应负电压值调整最大值‑ΔVmax，0xffff对应正电压值调整最大值ΔVmax，参考电压的测试校准是一个迭代的过程，采用常用的2分法来调整校准参数值，所述2分法，是指开始校准时，trim_para=0x8000，每次迭代校准时，新的trim_para值由如下逻辑运算得到：设迭代次数序号为i，第i次迭代测试时校准参数值为pi；trim_para值的上限值为pa，即trim_para=pa时，电压比较得到Vref大于Vstd，设trim_para值的下限值为pb，即trim_para=pb时，电压比较得到Vref小于Vstd，在迭代校准的过程中，pi、pa、pb的值根据电压比较输出结果来调整。