[发明专利]一种去除 SiC 衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610144265.8 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105845552A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;孙丽;徐现刚;赵显 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0‑2.0mA/cm2，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除缓冲层。本发明方法通过优化工艺参数，缓冲层可完全去除，获得表面均匀的石墨烯材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 sic 衬底 外延 石墨 缓冲 光电 化学 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0‑2.0mA/cm2，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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